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分析自旋力矩存儲的屬性和優(yōu)勢

時(shí)間:2014年7月24日

  

  你知道什么是自旋力矩存儲(Spin-transfer torque memory)技術(shù)嗎? 服務(wù)器托管講解它的設(shè)計(jì)是用來解決哪些當(dāng)前閃存芯片不能解決的問題?

  Marc Staimer:自旋力矩存儲技術(shù)是利用“擁有自旋角動(dòng)量的屬性的電子或其他粒子”的一種技術(shù)。其中自旋角動(dòng)量是兩種量子力學(xué)角動(dòng)量之一,另一種叫做軌道角動(dòng)量。

  自力矩存儲技術(shù)利用穿過磁場的電流來改變電子自旋向上或向下。自旋力矩存儲技術(shù)也稱為STT-RAM內(nèi)存技術(shù)。STT-RAM有潛力成為一個(gè)比flash更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存儲選項(xiàng)。STT-RAM也不是一種像flash這樣的破壞性技術(shù),也沒有flash的抗磨損壽命問題。

  但是,就像很多發(fā)展中的非易失性存儲技術(shù),如相變內(nèi)存(PCM)、跑道、憶阻器、MRAM、MeRAM和其他的,它還沒有準(zhǔn)備就緒。服務(wù)器租用自認(rèn)為當(dāng)前的STT-RAM需要過多的電流來調(diào)整旋轉(zhuǎn)。一切都在快速發(fā)展著,但此時(shí)的它還不是一個(gè)商業(yè)上可用的技術(shù)。

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