IBM首席技術官:相變存儲技術3-5年內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化
在接受EEtimes網(wǎng)站記者訪談時,Menon表示IBM非�？春肞CM技術在未來3-5年內(nèi)的發(fā)展勢頭,而且這種技術很可能會在服務器領域取代現(xiàn)有的閃存技術。目前服務器應用領域出于節(jié)能的需要,正在逐步引入采用閃存芯片制作的存儲設備。Menon并表示,PCM的下一步,IBM開發(fā)的賽道式磁存儲技術則將取而代之。
不過,他表示PCM要走向?qū)嵱眠�有許多問題需要解決。Menon在訪談中并沒有介紹IBM是如何解決PCM存儲體的耐熱性問題,這個問題在IBM的工程師在今年的VLSI技術年會上發(fā)表的一篇PCM存儲單元用銅離子導電體的文章中有所提及,這種導電體面向的是堆疊式的結(jié)構(gòu),因此其受熱環(huán)境更為惡劣。
PCM技術的原理是通過使用電加熱技術改變存儲材料的晶相,由此改變其電阻值來存儲數(shù)據(jù)。由于相變材料狀態(tài)的穩(wěn)定性高,結(jié)構(gòu)尺寸易于微縮,因此非常適合用作非易失性存儲器,甚至大有替代DRAM存儲器的態(tài)勢。不過由于PCM技術難于實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn),而且即便采用65/90nm制程制造的基于這種技術的產(chǎn)品真的能投放市場,其存儲密度相比常規(guī)閃存是否具備足夠的優(yōu)勢也很成問題,目前常規(guī)閃存的制程已經(jīng)進化到了22nm制程。
除了PCM技術本身之外,Menon還表示IBM目前正在積極在新材料研發(fā),3D封裝技術以及存儲單元結(jié)構(gòu)技術方面進行研發(fā),我們確信PCM將在尺寸微縮方面比較閃存芯片具備一定的優(yōu)勢,因為閃存技術發(fā)展到22nm制程以下后會遇到很多問題。
PCM的耐久性方面,Menon則認為,從讀寫周期數(shù)的角度看,PCM的耐久性將能介于閃存和內(nèi)存芯片之間。他說:配合各種耐久性增強技術后,DRAM的耐久性可在10^12次左右,閃存則在10^4-10^5次左右。而我們認為PCM芯片的耐久性則可高于10^5次,而且這個數(shù)字還會增加,不過會無法突破10^12次,但其耐久性應足可滿足內(nèi)存的需求,如果最后一條無法達成,那么至少我們還可以把PCM用作外存設備。PCM的性能將可逼近DRAM,當然它無法達到DRAM的性能等級,讀寫速度會比DRAM慢3-10倍左右,不過我們會開發(fā)其它的技術來彌補和縮小速度方面的缺陷。
盡管Menon承認PCM的開發(fā)會遇到很多需要克服的問題,但他認為自己手下的工程師完全有能力解決這些問題:(PCM)還有一些基本的問題需要解決,另外制造PCM芯片所用的材料也需要做進一步研究,不同的材料配比會導致性能的細微差異。因此我認為大概在2014年左右消費級電子市場上會首先出現(xiàn)PCM芯片的身影。 (vps主機)
當被問及IBM是否會自行設計并自行生產(chǎn)制造自己的PCM產(chǎn)品元件,或者會尋求代工商為其代工時,Menon表示:”這算業(yè)務范疇的問題了。我的看法是我們很可能會尋求芯片代工商,也就是說我們會完成技術的技術研發(fā),然后將有關的技術授權給代工商進行生產(chǎn)。
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