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IBM首席技術(shù)官:相變存儲(chǔ)技術(shù)3-5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化
在接受EEtimes網(wǎng)站記者訪談時(shí),Menon表示IBM非�？春肞CM技術(shù)在未來(lái)3-5年內(nèi)的發(fā)展勢(shì)頭,而且這種技術(shù)很可能會(huì)在服務(wù)器領(lǐng)域取代現(xiàn)有的閃存技術(shù)。目前服務(wù)器應(yīng)用領(lǐng)域出于節(jié)能的需要,正在逐步引入采用閃存芯片制作的存儲(chǔ)設(shè)備。Menon并表示,PCM的下一步,IBM開發(fā)的賽道式磁存儲(chǔ)技術(shù)則將取而代之。
不過(guò),他表示PCM要走向?qū)嵱眠�有許多問(wèn)題需要解決。Menon在訪談中并沒(méi)有介紹IBM是如何解決PCM存儲(chǔ)體的耐熱性問(wèn)題,這個(gè)問(wèn)題在IBM的工程師在今年的VLSI技術(shù)年會(huì)上發(fā)表的一篇PCM存儲(chǔ)單元用銅離子導(dǎo)電體的文章中有所提及,這種導(dǎo)電體面向的是堆疊式的結(jié)構(gòu),因此其受熱環(huán)境更為惡劣。
PCM技術(shù)的原理是通過(guò)使用電加熱技術(shù)改變存儲(chǔ)材料的晶相,由此改變其電阻值來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。由于相變材料狀態(tài)的穩(wěn)定性高,結(jié)構(gòu)尺寸易于微縮,因此非常適合用作非易失性存儲(chǔ)器,甚至大有替代DRAM存儲(chǔ)器的態(tài)勢(shì)。不過(guò)由于PCM技術(shù)難于實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn),而且即便采用65/90nm制程制造的基于這種技術(shù)的產(chǎn)品真的能投放市場(chǎng),其存儲(chǔ)密度相比常規(guī)閃存是否具備足夠的優(yōu)勢(shì)也很成問(wèn)題,目前常規(guī)閃存的制程已經(jīng)進(jìn)化到了22nm制程。
除了PCM技術(shù)本身之外,Menon還表示IBM目前正在積極在新材料研發(fā),3D封裝技術(shù)以及存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)技術(shù)方面進(jìn)行研發(fā),我們確信PCM將在尺寸微縮方面比較閃存芯片具備一定的優(yōu)勢(shì),因?yàn)殚W存技術(shù)發(fā)展到22nm制程以下后會(huì)遇到很多問(wèn)題。
PCM的耐久性方面,Menon則認(rèn)為,從讀寫周期數(shù)的角度看,PCM的耐久性將能介于閃存和內(nèi)存芯片之間。他說(shuō):配合各種耐久性增強(qiáng)技術(shù)后,DRAM的耐久性可在10^12次左右,閃存則在10^4-10^5次左右。而我們認(rèn)為PCM芯片的耐久性則可高于10^5次,而且這個(gè)數(shù)字還會(huì)增加,不過(guò)會(huì)無(wú)法突破10^12次,但其耐久性應(yīng)足可滿足內(nèi)存的需求,如果最后一條無(wú)法達(dá)成,那么至少我們還可以把PCM用作外存設(shè)備。PCM的性能將可逼近DRAM,當(dāng)然它無(wú)法達(dá)到DRAM的性能等級(jí),讀寫速度會(huì)比DRAM慢3-10倍左右,不過(guò)我們會(huì)開發(fā)其它的技術(shù)來(lái)彌補(bǔ)和縮小速度方面的缺陷。
盡管Menon承認(rèn)PCM的開發(fā)會(huì)遇到很多需要克服的問(wèn)題,但他認(rèn)為自己手下的工程師完全有能力解決這些問(wèn)題:(PCM)還有一些基本的問(wèn)題需要解決,另外制造PCM芯片所用的材料也需要做進(jìn)一步研究,不同的材料配比會(huì)導(dǎo)致性能的細(xì)微差異。因此我認(rèn)為大概在2014年左右消費(fèi)級(jí)電子市場(chǎng)上會(huì)首先出現(xiàn)PCM芯片的身影。 (vps主機(jī))
當(dāng)被問(wèn)及IBM是否會(huì)自行設(shè)計(jì)并自行生產(chǎn)制造自己的PCM產(chǎn)品元件,或者會(huì)尋求代工商為其代工時(shí),Menon表示:”這算業(yè)務(wù)范疇的問(wèn)題了。我的看法是我們很可能會(huì)尋求芯片代工商,也就是說(shuō)我們會(huì)完成技術(shù)的技術(shù)研發(fā),然后將有關(guān)的技術(shù)授權(quán)給代工商進(jìn)行生產(chǎn)。
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